各位
　

機構長の指定する放射線発生装置「大電力UHFクライストロン」の設置について

平成１２年１１月２２日
放射線取扱主任者

　
　下記の「機構長の指定する放射線発生装置」装置をアセンブリホールから大強度
陽子リニアック棟に設置場所の変更しました。それに伴い、使用前の機構内検査を
１１月２２日に行ない、１１月２２日付けで下記の装置を「機構長の指定する放射
線発生装置」として設定しましたのでお知らせします。
　
1.機器名		　　　大電力UHF(324MHz)クライストロン
2.使用場所		　　大強度陽子リニアック棟　クライストロンギャラリー
3.当該主幹		　　山崎良成
4.発生装置管理責任者	福田茂樹
5.放射線担当者		野口修一
6.放射線管理区域責任者　　中尾徳晶
7.性能			　最大印加電圧110kV, 最大電流　51A（750μs）, 1.9μA（平均）
　
　
配布先
機構長、所長、副所長、　（加速器）施設長、総主幹、各主幹、福田、野口
（共通）施設長、各センター長、各区域放射線担当者、管理室員、
　安全係、各研究施設事務室